Вход
Новостной Терминал
Новостной Терминал
СПОРТ
КУЛЬТУРА
ПОЛИТИКА
ЭКОНОМИКА
В МИРЕ
ОБЩЕСТВО
ПРОИСШЕСТВИЯ
ТЕХНОЛОГИИ
АВТО
 
18.06.2018г. 09:00:00   Автор: Кристина Шишко    Просмотров: 67

Samsung за нарушение патента оштрафовали на 400 млн долларов

Южнокорейскую компанию Samsung Electronics обвинили в нарушении патента, собственником которого является бюро KAIST IP US, расположенное в пригороде Далласа. В частности, техасский суд встал на сторону KAIST IP US, и вынес решение о наложении штрафа на Samsung в размере 400 млн долларов.

По данным Bloomberg, спор, дошедший до суда, возник по поводу технологии FinFet – транзисторе, позволяющем существенно повышать производительность микрочипа, снижая его энергопотребление. Со слов представителя KAIST IP US, Samsung первоначально посчитал изобретение не заслуживающим внимания, однако когда им заинтересовались конкуренты на рынке полупроводников, а именно Intel, южнокорейский гигант вновь начал работать над этой технологией, тем самым нарушив договор между Intel и KAIST.

Samsung в свою очередь настаивает, что в разработке FinFet они также принимали участие совместно с Корейским институтом, поэтому речи о нарушении прав здесь быть не может. В связи с решением суда о наложении штрафа, южнокорейская корпорацию намерена опротестовать судебный вердикт в апелляционной инстанции.

  Всего комментариев: 0

 
 

РЕКЛАМА

© 2018 год. Независимое интернет-издание. Разработчик: Валерий ШИШКО. Все права защищены. 2020 год. ©

   18.06.2018г. 09:00:00   Автор: Кристина Шишко   Просмотров: 67

Samsung за нарушение патента оштрафовали на 400 млн долларов

Южнокорейскую компанию Samsung Electronics обвинили в нарушении патента, собственником которого является бюро KAIST IP US, расположенное в пригороде Далласа. В частности, техасский суд встал на сторону KAIST IP US, и вынес решение о наложении штрафа на Samsung в размере 400 млн долларов.

По данным Bloomberg, спор, дошедший до суда, возник по поводу технологии FinFet – транзисторе, позволяющем существенно повышать производительность микрочипа, снижая его энергопотребление. Со слов представителя KAIST IP US, Samsung первоначально посчитал изобретение не заслуживающим внимания, однако когда им заинтересовались конкуренты на рынке полупроводников, а именно Intel, южнокорейский гигант вновь начал работать над этой технологией, тем самым нарушив договор между Intel и KAIST.

Samsung в свою очередь настаивает, что в разработке FinFet они также принимали участие совместно с Корейским институтом, поэтому речи о нарушении прав здесь быть не может. В связи с решением суда о наложении штрафа, южнокорейская корпорацию намерена опротестовать судебный вердикт в апелляционной инстанции.

  Всего комментариев: 0

 

РЕКЛАМА

Независимое интернет-издание.
© 2018 год. Разработчик: Валерий ШИШКО. 2020 год. ©
Все права защищены.